GaN(질화 갈륨) 전력 반도체 분야의 글로벌 리더인 이노사이언스는 금일 GaN 전력 트랜지스터 포트폴리오에 'INN650D080BS' 제품을 출시했다고 밝혔다.
'INN650D080BS'는 △650V 정격 △80mΩ의 낮은 온 저항 △8x8mm DFN 패키지 등의 특징을 갖고 있으며 향상된 열 성능 및 고효율을 자랑한다. 또한 수백 와트(W)급의 어댑터, 소비자 및 산업용 전원 공급 장치, LED 드라이버 및 Bridgeless Totem Pole PFC 회로에 최적화된 제품이다. 아울러 어댑터와 TV 및 서버 SMPS의 전력 손실을 낮추고 전력 밀도를 개선할 수 있다.
이노사이언스는 8x8mm DFN 패키지를 통해 고객에게 확장성을 제공하고 제품 상용화를 진행한다는 계획이다.
이노사이언스 관계자는 "올 상반기에는 650V 정격, 70mΩ, 30mΩ의 낮은 온 저항, TOLL 패키지 제품도 추가적으로 출시 예정"이라며 "이를 통해 다양한 어플리케이션에 맞는 패키지와 제품을 제공할 방침"이라고 전했다.
전자신문인터넷 구교현 기자 kyo@etnews.com
