곽노정 SK하이닉스 사장이 메모리 반도체 성능 개선 한계를 차세대 메모리 반도체 제품으로 극복하겠다고 강조했다. 기존 D램 메모리에 연산 기능을 탑재해 기존 제품 대비 16배 성능을 강화할 수 있다고 밝혔다. 이 제품은 조만간 상용화 예정이다.
곽 사장은 5일 '반도체 대전(SEDEX) 2022' 주제 발표에서 “'GDDR6-AiM'은 차세대 그래픽 D램 메모리 제품으로 기존 D램 메모리 기반 제품 대비 16배 성능을 올릴 수 있다”고 강조했다. 곽 사장은 한국반도체산업협회장 자격으로 반도체 대전에서 메모리 업계가 처한 기술 한계 극복을 주제로 발표했다.
곽 사장은 미래 첨단산업 성장에 대응해 메모리 반도체 처리 성능 한계를 넘을 수 있다고 진단했다. D램 메모리는 데이터를 처리하기 위해서 그래픽처리장치(GPU), 중앙처리장치(CPU) 통합해 시스템온칩(SOC) 형태로 구현해야 한다. 곽 사장은 “메모리 반도체는 D램과 낸드 플래시가 10나노 공정 미세화, 수직 적층 구조 등을 적용해 성능을 개선했다”며 “메모리 반도체 성능 강화만으로 빅데이터, 메타버스, 인공지능(Al) 등 데이터 폭증 시대에 대응할 수 없다”고 진단했다.
곽 사장은 메모리 기술 한계 극복 해결책으로 D램 메모리에 연산 기능을 추가한 차세대 메모리 반도체로 제시했다. 곽 사장은 “GDDR6-AiM은 기존 고성능 SOC 제품보다 전력 효율은 6배, 처리 속도는 10배까지 올릴 수 있다”며 “제품은 AI 시대에 대응하고 다양한 협력으로 메모리 반도체 성능의 한계를 극복하겠다”고 말했다.
곽 사장은 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL) 기반의 메모리 개발하고 있다고 강조했다. 곽 사장은 “GDDR6-AiM을 능가하는 차세대 메모리 반도체 제품군 개발을 강화하겠다”고 덧붙였다. SK하이닉스는 삼성전자와 함께 시스템 반도체와 메모리 반도체 호환성을 높여 나가고 있다. 곽 사장은 “반도체 시장 변화 환경에 대응해 CXL 메모리 제품 개발을 고도화할 것”이라고 덧붙였다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
