낸드플래시 양산 세계 최대 규모
EUV공정 D램 생산시설도 계획
반도체 수요 대응 'P4' 착공 준비
관련 통계자료 다운로드 2분기 세계 낸드플래시 시장 점유율 삼성전자가 세계 최대 규모의 반도체 생산시설 평택캠퍼스 3공장(P3)을 가동했다. 지난 7월부터 P3에 낸드플래시 양산 시설을 구축하고 웨이퍼 투입을 시작했다. 2020년 기초공사에 들어간 지 2년여 만이다.
경계현 삼성전자 DS부문 대표는 7일 평택캠퍼스에서 기자들과 만나 '선택과 집중'에 따른 성장 전략을 제시했다. 경 대표는 이재용 삼성전자 부회장이 2019년에 선포한 '2030 시스템반도체 1위'(2030년 시스템반도체 글로벌 1위 달성)에 대해선 “'어떻게 1등을 만드냐'를 고민하고 있다”고 대답했다.
경 대표는 “내년 양산 예정의 3나노 게이트올어라운드(GAA) 2세대에 대한 고객의 관심이 높다”면서 “3나노 공정을 적극 개발하고 (상대적으로 뒤처져 있던) 4, 5세대 공정의 성능 개선도 집중하면 내년 말 삼성전자 파운드리 모습이 지금과 달라져 있을 것”이라며 지난 6월 세계 최초로 양산에 성공한 3나노 공정 기술력에 기대를 걸었다. 성능 논란을 겪은 애플리케이션 프로세서(AP) 엑시노스에 대해서는 “현재 개발 역량으로 가장 잘할 수 있는 부분과 경쟁력 회복 방안에 집중하고 있다”고 설명했다.
삼성전자는 P3 낸드플래시 양산을 통해 시장 지배력을 확대한다. P3는 단일 라인 길이만 700m로 반도체 제조 시설 가운데 세계 최대 규모를 자랑한다. 면적은 99만1000㎡로 축구장 25개 크기와 맞먹는다. 5월 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 방문해서 '반도체 동맹'을 약속한 곳이기도 하다.
삼성전자는 시장 수요에 맞춰 P3에 극자외선(EUV) 공정 기반 D램과 5나노 이하 파운드리 등 첨단공정 생산시설을 구축할 계획이다. 평택캠퍼스 내 4공장(P4) 착공 준비작업도 착수했다. 착공 시기와 적용 제품이 정해지지는 않았지만 반도체 수요 변화에 발빠르게 대응하기 위해서다.
삼성전자가 2015년부터 조성한 평택캠퍼스는 총면적이 289만㎡에 이른다. 기흥캠퍼스(145만㎡)와 화성캠퍼스(158만㎡) 면적을 합친 수준이다. 평택캠퍼스에는 가동하고 있는 3개 라인 외에 3개의 반도체 생산시설이 들어올 수 있다.
삼성전자는 지난달 기흥 R&D 단지 기공식을 열었다. 내년까지 반도체 업황이 어둡다는 전망에 수긍하면서도 “기본적인 투자 방향은 시황과 무관하게 일관적으로 진행하려 한다”고 밝혔다.미국의 반도체 장비 중국 수출 제한 조치 등 대외 환경 리스크에 대해서는 “중국에 공급하는 비중이 적지 않고 중요한 시장인 건 사실”이라면서도 “쉽지 않은 환경 속에서도 모두가 윈윈하는 방법을 찾고 있다”고 말했다.
시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자는 2분기 낸드플래시 매출을 59억8000만달러(약 8조2494억원) 기록했다. 점유율 33%로 세계 1위를 차지했다. 삼성전자는 2002년 낸드플래시 시장 점유율 1위를 달성한 이후 한 번도 선두 자리를 내주지 않고 있다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
