삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 기술 '게이트올어라운드'(GAA)를 적용한 3나노미터 파운드리 제품을 출하했다. 25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식'에서 이창양 산업통상자원부 장관(오른쪽 두 번째)이 참석한 가운데 관계자들이 웨이퍼를 트럭으로 옮기고 있다. <연합뉴스>
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삼성전자가 세계 최초로 차세대 트랜지스터 기술 '게이트올어라운드'(GAA)를 적용한 3나노미터 파운드리 제품을 출하했다. 25일 삼성전자 화성캠퍼스에서 열린 '세계 최초 GAA 기반 3나노 반도체 양산 출하식'에서 이창양 산업통상자원부 장관(오른쪽 두 번째)이 참석한 가운데 관계자들이 웨이퍼를 트럭으로 옮기고 있다. <연합뉴스>