중국 반도체 기업 허베이통광이 중국 현지에 세운 반도체 웨이퍼 생산 공장을 가동했다. 공장은 2019년 말 착공해 올해 하반기 준공을 마치고, 생산을 시작했다.
허베이통광은 이 공장에서 질화갈륨(GaN) 웨이퍼를 생산해 이동통신 반도체 업체에 공급할 계획이라고 설명했다. GaN 반도체는 기존 실리콘 반도체와 동일 크기로 몇 배의 전력을 달성할 수 있는 것이 특징이다. 이동 통신, 무선 네트워크 등 통신 기기 산업 분야에 적합한 것으로 알려졌다.
허베이 통광은 4~6인치 크기의 GaN 반도체 웨이퍼를 공급할 예정이다. 연간 생산 규모는 연 10만장 규모로 추가 생산 확장 계획을 갖고 있는 것으로 알려졌다.
회사는 GaN 외에도 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼도 생산한다. SiC 반도체는 GaN 반도체와 함께 전력 반도체 시장에서 주목 받는다. 허베이 통광, 티엔커허다, 중커강옌 등 중국 반도체 업체들은 중국 정부 지원을 바탕으로 사업화에 나설 채비를 하고 있다. 중국 정부는 전력 반도체를 성장동력으로 점찍고 GaN, SiC를 비롯해 차세대 화합물 전략 반도체 개발에 힘을 쏟고 있다.
김지웅기자 jw0316@etnews.com
