삼성전자가 올해 말 평택 반도체 공장 건설을 완료하고 내년 중반기 3D 낸드플래시를 양산할 계획이라고 공식 밝혔다.
삼성전자는 27일 콘퍼런스 콜에서 “평택 공장(18라인)은 올해 말까지 공사를 완료할 계획”이라며 “내년 중반부터 3D 낸드플래시를 양산하게 된다”고 말했다.
이는 당초 계획 대비 가동 시기를 3개월 앞당긴 것이다. 낸드플래시 시장 호황을 놓치지 않겠다는 포석이자 경쟁사와 초격차를 계속 유지하겠다는 전략이다.
평택 공장 가동 시기가 앞당겨짐으로써 후방 장비업계도 수혜 시기가 빨라질 전망이다. 현재 삼성전자 평택 반도체 공장은 현재 막바지 외벽 공사가 한창이다. 12월 중 공사를 마무리하고 인프라 투자를 시작한다. 인프라 투자란 클린룸, 가스배관, 정화(스크러버), 웨이퍼 운송용기(FOUP) 이송, 진공펌프 장비 설치 등을 의미한다. 투자를 마치면 내년 초에 노광, 식각, 증착, 세정 등의 장비가 입고된다. 후방 업계에도 이 같은 사실을 통보했다.
18라인 1단계 투자는 300㎜ 웨이퍼 투입 기준 4만~5만장 수준이다. 18라인 총 생산용량(약 20만장 추정)의 약 4분의 1이다. 생산 품목은 4세대 64단 3D 낸드플래시다. 이 제품은 올해 말 화성 공장에서 첫 양산이 이뤄진 이후 평택 공장에서도 동일 공정으로 생산된다. 통상 3D 낸드플래시 4만~5만장 생산 규모라면 인프라, 장비 투자에만 3조~3조5000억원이 소요된다.
삼성전자는 현재 2조5000억원가량을 투입해 화성 반도체 공장 17라인 2단계 투자로 3D 낸드플래시 생산 용량 증설을 추진하고 있다. 생산 규모는 웨이퍼 투입 기준 4만장 수준이다.
삼성전자는 “17라인은 내년 상반기 양산 가동을 목표로 설비를 반입하고 있다”고 밝혔다.
삼성전자는 내년 3D 낸드플래시 분야에서 실적 확대가 기대된다고 밝혔다. 미국 마이크론, 일본 도시바 등 메모리 경쟁사는 기술적 장벽으로 인해 3D 낸드플래시 공급을 제대로 늘리지 못하고 있는 실정이기 때문이라고 설명했다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
