이명영 SK하이닉스 재무본부장(전무)은 26일 오전 개최된 2016년 1분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 “기술 개발을 최우선 정책으로 두고 올 연말까지 선두 업체인 경쟁사와 기술 격차를 좁혀가기 위해 노력할 것”이라고 말했다.
SK하이닉스 1분기 실적은 D램 가격 하락세 영향으로 큰 폭 감소했다. 매출 3조6560억원, 영업이익 5620억원, 순이익 4480억원을 기록했다. 전 분기 대비 매출과 영업이익, 순이익이 각각 17%, 43%, 49% 줄었다. 작년 동기 대비로는 매출이 24% 줄고 영업이익과 순이익이 65%씩 감소했다. SK하이닉스는 “메모리 수요 둔화와 출하량 감소, 가격 하락으로 매출과 영업이익이 감소했다”고 설명했다.
이명영 전무는 “작년 하반기부터 지금까지 D램 공급과잉은 공급보단 수요가 상당 부분 감소했기 때문”이라며 “원가경쟁력이 우선적으로 뒷받침돼야 (실적 개선이 가능)한다”고 설명했다.
삼성전자는 이미 20나노(2z) D램 공정이 주력으로 올라섰다. 최근에는 18나노(1x) D램 양산도 시작했다. D램 가격 하락세가 심하지만 삼성전자 이익 하락폭은 3대 D램 업체 중 가장 적은 것으로 추정된다. 앞선 미세공정 전환으로 생산 원가가 경쟁사 대비 낮기 때문이다.
SK하이닉스는 D램 2z나노 공정을 컴퓨팅 제품에 이어 모바일 제품으로 본격 확대할 예정이다. 1x나노급 D램 개발을 위한 연구개발(R&D) 역량도 강화한다.
박래학 SK하이닉스 D램 마케팅 그룹장(상무)은 “올 연말 기준 2z D램 비중이 가장 높아질 것으로 보고 있다”고 말했다.
낸드플래시는 14나노 전환과 함께 3D 경쟁력 확보에 집중하고, 3세대(48단) 제품은 하반기 중 개발해 양산을 시작한다는 방침이다.
김영래 플래시 마케팅 그룹장(상무)은 “3세대 3D 낸드플래시는 이번 분기 내 단품 제품의 내부 인증이 완료될 것”으로 예상하며 “3세대 3D 낸드를 탑재한 SSD는 이번 분기 내 엔지니어링샘플(ES) 공급 완료 후 하반기 양산할 수 있도록 준비 중”이라고 말했다.
올해 SK하이닉스 시설투자는 작년 6조6000억원 대비 감소할 전망이다.
이명영 전무는 “D램 공장 투자는 줄어드는 대신 감소분을 연구개발(R&D) 설비 투자에 집중할 것”이라며 “이는 1x D램 개발을 위한 것”이라고 말했다. 이 전무는 “이천 M14 2층의 3D 낸드 투자는 하반기에 공사 착수해 내년 상반기 완공 계획이 있으나 시장 상황에 따라 유동적으로 검토할 계획”이라고 말했다. 올 연말까지 3D 낸드플래시는 청주 M12에서 주로 생산된다는 의미다.
한주엽 반도체 전문기자 powerusr@etnews.com
