IDT코리아(대표 이상엽)는 반도체 설계·제조 솔루션 업체 e실리콘과 함께 차세대 ‘RapidIO 스위치’를 연구개발(R&D)한다고 14일 밝혔다.
RapidIO 10xN 스위치는 포트당 40Gbps 속도에 지연 속도가 100나노초(㎱)에 불과하다. 양사는 롱텀에벌루션 어드밴스드(LTE-A), 클라우드 무선 접속망(C-RAN), 5세대(5G) 네트워크 등과 고성능 컴퓨팅(HPC) 플랫폼을 동시 지원하는 제품을 만들 계획이다. 출시 시점은 오는 2015년 하반기다.
그레고리 워터스 IDT 최고경영자(CEO)는 “기존 RapidIO는 세계 4세대(4G) 기지국에 널리 쓰이고 있으나 차세대 기지국이나 C-RAN 등에 대응해 성능을 강화해야 할 필요성을 느꼈다”며 “e실리콘의 28나노(㎚) 공정 기술과 기존 RapidIO 스위치 기술을 융합, 한 층 개선된 제품을 선제적으로 내놓을 수 있을 것”이라고 말했다.
김주연기자 pillar@etnews.com
