테스(대표 주숭일)는 한국산업기술평가관리원(KEIT)의 ‘고내압 전력반도체 에피구조 설계 및 에피 성장장비 개발 과제’ 주관기업으로 선정됐다고 1일 밝혔다.
테스는 향후 3년간 36억원을 투자해 갈륨나이트라이드 온 실리콘(GaN-on-Si) 웨이퍼를 기반으로 전력반도체용 유기금속화학증착장비(MOCVD)를 개발한다. GaN 소재의 전력반도체는 모듈에 냉각 장치를 최소화해 탑재할 수 있고 소형화·경량화가 용이해 실리콘(Si) 기반 절연게이트양극트랜지스터(IGBT)보다 30% 정도의 에너지를 절약할 수 있다.
이 회사는 자외선(UV) 발광다이오드(LED)용 MOCVD 양산경험으로 기반기술을 보유하고 있다. 원천기술 설계·평가 등은 한국생산기술연구원과 휴스턴대학교, 달라스 텍사스 주립대와 공동 진행한다. 수요기업으로는 미국 무선통신(RF) 기기 전문 업체 트라이퀸트(TriQuint Semiconductor)가 참여했다.
김주연기자 pillar@etnews.com
