삼성전자(대표 권오현)는 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시(eFlash) 로직 공정을 적용한 스마트카드용 테스트 칩 개발에 성공했다고 15일 밝혔다.
임베디드 플래시 로직은 데이터를 처리하고 제어하는 시스템 반도체 회로 안에 플래시 메모리를 구현한 기술이다. 회로 집적도와 전력 효율이 높아 가전·모바일·자동차 등 다양한 영역에 적용될 것으로 기대된다.
이번에 개발된 45나노 스마트카드용 IC는 종전 80나노 제품보다 25% 가량 전력 소모가 적고, 플래시 메모리에서 데이터를 읽는 시간은 50% 줄었다. 플래시 메모리 셀당 100만번 이상 읽고 쓸 수 있을 정도로 높은 신뢰성을 확보했다.
삼성전자는 설계·공정 최적화 및 신뢰성 검증 기관의 보안 검증을 거친 후 내년 하반기 양산할 계획이다. 45나노 임베디드 플래시 공정기술 확보로 소비자 가전뿐 아니라 차량용 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 시장에서 경쟁력을 확보할 것으로 기대하고 있다.
김태훈 삼성전자 시스템LSI사업부 상무는 “45나노 임베디드 플래시 로직 칩으로 스마트카드·근거리무선통신(NFC) 등 다양한 시장을 공략할 계획”이라며 “향후 첨단 공정 기술로 모바일 솔루션 시장에서 입지를 공고히 할 것”이라고 말했다.
이형수기자 goldlion2@etnews.com
