로옴세미컨덕터코리아(대표 요시가와 요시히로)는 스위칭 손실을 85% 저감시키는 완전(풀 )실리콘카바이드(SiC) 파워모듈 공급을 시작한다고 26일 밝혔다.
이 제품은 정격 1200V/100A 규격이며 내장되어 있는 파워 반도체 소자가 모두 SiC로 구성되어 있다. SiC는 실리콘에 비해 재료 물성이 뛰어나 전력변환 시 손실이 적은 것이 특징이다.
이 모듈을 사용하면 일반적인 실리콘 파워모듈(Si-IGBT)에 비해 스위칭 손실을 85% 저감시킬 수 있다. Si-IGBT 모듈에 비해 10배 이상인 100㎑ 이상의 고주파 동작을 실현했다. 정격전류는 100A이지만, 고속 스위칭과 저손실화로 200~400A Si-IGBT 모듈을 대체할 수 있다. 제품 크기는 122×46×17㎜로, 400A급 Si-IGBT 모듈 대비 50%에 불과하다. 또한, 열발생이 적어 냉각장치도 최소화할 수 있어 전체 제품의 크기를 줄일 수 있다.
이 제품은 전기자동차, 산업기기, 전동차, 태양 전지 등 대규모 전력을 필요로하는 곳에 적합하다. 로옴 측은 “오랜 기간동안 많은 기업에서 샘플을 개발했으나 신뢰성 면에서 문제가 많아 양산하지는 못했다”며 “로옴은 세계 최초로 풀SiC 파워 모듈 양산을 3월 말부터 시작한다”고 말했다.
문보경기자 okmun@etnews.com
