삼성전자, 30나노 4기가 모바일 D램 개발…속도 2배↑ 전력 25%↓

삼성전자는 업계 최초로 30나노 공정의 4Gb 모바일 D램을 개발하고 고객들에게 샘플을 공급중이라고 2일 밝혔다.

PC 및 서버용 D램에 이어 모바일 D램까지 30나노 공정을 적용함으로써 50~40나노 제품 양산에 그치는 경쟁사와의 격차를 더욱 벌릴 것으로 삼성전자는 예상했다.

이번에 개발한 4Gb LPDDR(Low Power double data rate)2 D램의 데이터 전송속도는 PC용 D램과 같은 1066Mbps로 333Mbps~400Mbps의 속도를 지원했던 기존 모바일 D램 대비해 2.5~3배 가까이 끌어올림으로써 스마트폰, 스마트 패드의 성능을 극대화할 수 있게 했다. 삼성전자는 4Gb 단품과 함께 이를 2층으로 쌓아 용량을 2배로 늘린 8Gb 제품도 함께 출시했다. 이 제품은 2Gb 단품을 4개로 쌓은 기존 8Gb 제품에 대비 두께는 20%, 전력소모도 25% 가까이 줄였다. 삼성전자는 이 제품을 연말부터 양산하는 한편 내년 4Gb 단품을 4개까지 적층한 16Gb 제품도 시장 수요에 따라 공급할 계획이다.

이 회사는 지난 2월 40나노 공정의 2Gb LPDDR2 제품을 출시한 바 있으며 이번 30나노 제품 생산을 바탕으로 모바일 D램 시장 점유율을 더욱 확대할 계획이다.

유형준기자 hjyoo@etnews.co.kr