하이닉스, 하반기 8000억 투자

　하이닉스반도체가 하반기에 약 8000억원의 반도체 설비 투자를 단행키로 했다.

　이에 따라 삼성전자와 하이닉스의 하반기 설비 투자 규모는 2조 원에 달할 전망이다.

　두 회사의 설비 투자 확대는 반도체 수요가 느리지만 회복되는 데다 50∼40나노급 DDR3 D램 등 차기 제품에서 시장리더십을 유지하기 위한 것으로 반도체 장비업계의 주름살을 펴줄 것으로 기대됐다.

　하이닉스반도체(대표 김종갑)는 외국 메모리 업체와의 기술 및 원가 경쟁력에서 우위에 서고자 올해 투자계획(1조원)의 20%를 이미 상반기 집행했으며, 나머지 투자 예산의 80%를 하반기께 집중 투자키로 했다고 26일 밝혔다.

　하이닉스는 하반기 투자 금액의 상당 부분을 DDR3 D램의 설비 투자에 쏟아붓고 일부를 낸드 메모리에 사용키로 했다.

　김종갑 사장은 “D램 주력 공정을 66나노에서 54나노로 업그레이드하는 데 집중하겠다”고 말했다.

　하이닉스는 설비 투자를 통해 계절적 성수기인 하반기에도 원가 및 기술 경쟁력을 강화해 후발 업체들과의 시장 점유 격차를 벌여나갈 계획이다.

　DDR 3 D램 비중을 2분기 20% 선에서 연말 50%까지 늘리고 하반기 44나노 D램을 양산하는 한편 낸드 41나노 제품 비중을 높일 계획이다.

　권오현 삼성전자 사장도 하반기 1조원 이상을 미세공정 전환에 투자할 것임을 최근 시사했다.

　안수민기자 smahn@etnews.co.kr