삼성전자는 40나노급 공정을 적용한 8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNAND™)를 개발했다고 10일 밝혔다.
플렉스 원낸드는 초고속 SLC(Single Level Cell) 낸드와 기가급 고용량 MLC(Multi Level Cell) 낸드의 특성을 통합시킨 차세대 모바일 솔루션 제품으로, 현재 하이엔드급 휴대폰에서 전원이 켜질 때 프로그램을 지원하는 코드용 SLC 플래시와 사진, 동영상 등 데이터 저장용 MLC 플래시를 별도로 사용중인 것을 하나의 플렉스 원낸드만으로 실행할 수 있다.
삼성전자는 2007년 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 제품 개발로 고성능 스마트폰에서 퓨전 메모리 시장을 더욱 확대한 데 이어, 이달중 8기가 플렉스 원낸드를 양산해 고용량 하이엔드 휴대폰 시장까지 퓨전 메모리 제품으로 전환해나갈 방침이다. 특히, 8기가 플렉스 원낸드 제품은 퓨전 메모리 제품 최초로 40나노 공정을 적용해 기존 60나노급 4기가 플렉스 원낸드 대비 생산성을 약 2.8배 향상시켜 제품 경쟁력을 한 단계 더 강화했다고 삼성전자는 밝혔다.
이번에 개발된 제품은 휴대전화 제조업체들이 성능과 용량을 정해서 자유자재로 디자인할 수 있다는 장점이 있으며 휴대폰 업체가 고용량 내장 스토리지를 갖춘 제품을 개발할 때 별도 소프트웨어가 필요없도록 개발 편의성을 극대화했다.
삼성전자는 올해 원낸드 제품도 40나노급 공정으로 1기가·2기가·4기가 제품을 양산해 타사 대비 1~2세대 앞선 제품 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획이다.
삼성전자 관계자는 “차별화된 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정이며, 이를 기반으로 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나갈 예정”이라고 말했다.
서동규기자 dkseo@etnews.co.kr
