권오현 삼성전자(DS 부문 반도체사업담당) 사장은 “삼성전자가 200㎜(8 인치) 웨이퍼 전용인 화성 10라인을 300㎜(12인치) 웨이퍼 라인으로 연내 전환키로 했다”고 밝혔다. 올해 10라인 300㎜ 전환을 계기로 메모리 반도체의 원가 경쟁력을 높여 시장 지배력을 이어간다는 전략이다. 00㎜ 웨이퍼에서 300㎜로 전환하면 30% 이상 원가 경쟁력이 생긴다.
삼성전자 화성 10라인 300㎜ 웨이퍼 전환을 권오현 사장이 직접 구두로 밝힌 것은 이번이 처음으로 단 구체적인 투자 일정에 대해선 밝히지 않았다. 권오현 삼성전자 사장은 화성 10 라인의 300㎜ 웨이퍼 전환투자를 비롯한 50나노 D램 공정 확대·40나노 설비투자 등 메모리의 주요 사업 계획들을 주요 경영진들이 참석하는 경영 전략 회의에서 18일 발표, 새해 경영에 들어간다.
이번 화성 10라인 투자를 계기로 삼성전자 화성공장 라인은 연내 모두 300㎜ 라인으로 탈바꿈한다. 특히 300㎜ 라인을 7곳 보유하고 경쟁력이 처진 150㎜(6 인치) 웨이퍼 3·4 라인을 폐쇄, 삼성전자의 생산 라인 개편 작업이 4월 이후 한층 가속화할 것으로 전망된다.
D램 전용라인인 10라인의 300㎜ 웨이퍼 전환에만 필요한 투자 규모는 월 생산량 6만장 기준으로 약 2조원의 장비가 투입될 것으로 분석된다. 삼성전자는 현재 10라인에 들어간 200㎜ 웨이퍼 장비를 비우는 작업을 진행중인 것으로 전해졌다. 삼성전자 관계자는 “지난 연말부터 화성 10라인에 웨이퍼 투입량을 줄였고 내달께 10라인 가동을 중단할 것”이라고 밝힌 바 있다.
삼성전자는 또한, 올해 10 라인을 300㎜로 전환하면 D램 등 메모리 전용 설비는 물론 파운드리 사업으로 적극 활용하기로 방침을 정했다.
안수민기자 smahn@etnews.co.kr
