삼성전자, 세계 최초 40나노급 D램 개발

삼성전자가 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다.

삼성전자는 지난 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년 50나노급 D램, 올해 40나노급 D램 제품 개발에 성공하는 등 세계 최초 기록을 잇따라 세웠다.

이번 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 작년 12월 인텔에 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자는 이번에 개발한 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 올해 개발 완료하고 양산도 개시할 예정이다. 50나노급에서 2006년 제품 개발 후 양산까지 약 2년이 소요된 반면, 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축하는 것이다.

40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 작년 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어, 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 삼성전자는 전망했다. 또, 40나노급 D램은 50나노급 D램 대비 칩 면적 축소로 생산성이 향상되고 저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능해 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있다. 이같은 특성으로 40나노급 D램은 서버 등 고전력을 소비하는 응용처에서 더욱 유용한 친환경·고효율 에너지 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자 관계자는 “이번 세계 최초 개발로 40나노급 D램 시장을 선점해 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하게 됐다”며 “향후 DDR4 등 초고속 스피드를 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획”이라고 말했다.

서동규기자 dkseo@etnews.co.kr