DDR3 D램 주도권 경쟁 `점화`

　 삼성전자·하이닉스반도체 등 국내 반도체 기업들이 차기 DDR D램인 DDR3 D램 시장 선점에 앞다퉈 나서고 있다. DDR 3D램은 기존 DDR 2D램 대비 고속·저발열의 특징을 갖고 있다.

8일 업계에 따르면 삼성전자·하이닉스 등 기업들은 DDR3 D램 관련 인텔 인증을 세계 최초로 잇따라 획득하는 등 DDR 3 시장 주도권 경쟁을 치열하게 벌이고 있다.

삼성전자가 지난해 11월 중순 2Gb DDR3 D램 단품과 PC용 4GB DDR 3 UDIMM(Unbuffered DIMM) 모듈에 대해 인텔 인증을 획득한 데 이어 한 달이 채 안 지나 지난 5일 하이닉스도 서버용 4GB DDR3 UDIMM 메모리 모듈의 인텔 인증을 획득한 것이다.

특히 양사는 미세 공정에 대한 기술 투자를 공격적으로 전개, 양산 공정 수준을 기존 60나노급 DDR3 D램 공정에서 올해 40∼50 나노급 공정으로 전격 전환, 생산 원가를 획기적으로 절감함으로써 외국 글로벌 경쟁사 대비 확고한 기술 및 시장 우위를 점하기로 했다.

데이터퀘스트(’08년 3Q)에 따르면 DDR3 D램은 시스템 채택률이 지난해 4분기 11%에서 올해 4분기 66%로 급증, 내년말 이후 DDR 2 D램 시장을 상당 부분 잠식할 것으로 예측하고 있다. 특히 DDR 3D램이 지난해 3분기까지 데스크톱·노트북 등 시스템을 중심으로 채택됐으나 새해 1분기를 기점으로 고수익의 서버 시장에도 진입할 것으로 전망, 국내 기업은 서버용 D램 등 DDR3 D램의 제품군 확대에 역점을 두기 시작했다.

삼성전자는 56 나노 서버용 8GB·16GB RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module) 등 D램 모듈 9종에 대한 인텔 인증을 받기 위해 평가 작업에 착수했다. 이 회사는 새해 초 56 나노 2Gb·DDR3 관련 모든 제품에 대해 인증을 마칠 것으로 예측했다. 삼성전자는 또한 56 나노에서 올해 40나노급 공정으로 전환, DDR 3 D램 시장에서 원가경쟁력을 바탕으로 글로벌 시장 주도권을 이어간다.

하이닉스반도체는 서버용 4GB DDR3 UDIMM 메모리모듈 등 DDR3 메모리 모듈 관련 총 47종을 인텔로부터 인증받은 데 이어 추가로 제품 인텔 인증 작업을 진행하고 있다. 이 회사는 66 나노에서 54 나노 공정 전환을 추진하고 있으며 올해 1분기 내 목표로 54 나노 1Gb DDR3를 양산키로 하는 등 D램 생산에서 DDR3 D램 비중을 10%에서 3분기 30% 이상으로 늘릴 계획이다.

또 54 나노 2Gb DDR3 개발도 진행, 새해 1분기 개발을 마치기로 했다.

안수민기자 smahn@etnews.co.kr