삼성전자,고속 비정질 산화물 박막트랜지스터 개발

삼성전자 종합기술원이 차세대 디스플레이, 반도체 등에 광범위하게 적용 가능한 `비정질 산화물 박막 트랜지스터(Amorphous Oxide Thin Film Transistor)` 신기술을 개발하는데 성공했다.

삼성전자는 15일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체 학술 모임인 ‘2008 세계전자소자학회(IEDM; IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING)’에서 이 기술을 발표한다.

이번에 발표한 기술은 기존 산화물 박막 트랜지스터의 단일 채널 구조를 이중 채널 구조로 변경해 기존 보다 3배 이상 향상된 수준의 전자 이동도(~130㎠/V.sec)를 확보함과 동시에 문턱전압(Threshold Voltage; 박막 트랜지스터를 동작시키는 전압)을 제어할 수 있도록 했다.

삼성전자가 구현한 이중 채널 구조는 이동도가 큰 산화물과 필요한 문턱전압을 갖는 산화물을 접합한 것이다.

삼성전자는 이 기술이 현재 사용하고 있는 LCD 디스플레이 소자 뿐 아니라, AM-OLED, 플렉시블 디스플레이와 같은 차세대 디스플레이, 태양전지(Solar Cell), LED, 센서 등에도 적용이 가능하다고 밝혔다.

또한, 투명한 특징이 있어 고글, 건물의 유리창, 자동차 유리 등 투명 디스플레이에도 적용할 수 있다. 특히, 빠른 속도와 함께 문턱전압의 제어가 가능해 반도체 분야에도 적용할 수 있어 전자산업 전반에 걸쳐 파급 효과가 클 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 김영환 전무는 "이 기술을 중장기적으로 Flexible 또는 투명 디스플레이에 적용할 뿐 아니라, 이동도 때문에 제약 되었던 반도체 주변회로까지 응용을 확대해 반도체 소자의 핵심 기술로 발전시킬 계획"이라고 말했다.

전자신문인터넷 장윤정 기자linda@etnews.co.kr