50나노 2기가 DDR3 내달 양산
관련 통계자료 다운로드 D램 시장 전망 삼성전자가 세계 최초로 50 나노 2기가비트(Gb) DDR3 양산 시대를 열었다. 대용량 2Gb D램 분야에서 지난해 9월 60나노급의 DDR2를 개발한 데 이어 1년 만에 50나노급의 나노 DDR3를 세계 처음으로 개발함으로써 초미세 반도체 공정의 앞선 기술력을 과시했으며, 다가올 DDR 3시장을 선점할 수 있게 됐다.
◇크기도 줄이고 원가, 전력 소모도 낮춰=삼성전자는 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2Gb DDR3 D램 개발에 성공해 내달부터 양산 단계에 들어간다고 29일 밝혔다. 이 제품은 60나노 2Gb DDR2 D램의 최고 속도인 800Mbps 대비 1.6배인 1.333 를 구현한다. 단품 칩의 크기도 작아져 생산 효율성을 기존 대비 60% 이상 향상했다. 기존 2Gb DDR2 D램 단품은 칩 크기가 커서 대용량 모듈 제품을 만들때 패키지 적층 기술(DDP:Double Die Package)을 적용, 2Gb 칩 2개를 하나로 만들어 탑재했다. 그러나 2Gb DDR3는 DDR2 D램 패키지 대비 크기를 대폭 축소했다. 적층기술 없이 대용량 모듈 제작이 가능해 원가를 절감할 수 있다.
1Gb DDR3 D램 단품을 탑재한 현 최대 용량 서버용 16Gb DDR3 모듈은 1Gb DDR3 단품에 4단 적층(QDP:Quad Die Package) 기술을 적용해야 해 원가 부담이 있었다. 2Gb DDR3 D램은 2단 패키지 적층 기술(DDP)로 양산할 수 있다.
2Gb DDR3를 활용하면 공정과 원가 측면뿐만 아니라 전력 측면에 있어서도 커다란 개선이 가능하다. 8Gb D램 모듈은 기존 1Gb DDR3 D램 72개로 구성하던 것을 2Gb 36개로 대체, 40% 이상 전력을 절감하고 시스템 작동 시 발열량이 크게 줄 수 있다.
◇수년 내 DDR 3 주력 제품 선점=삼성 측은 이번 50나노급 2Gb DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지 향후 수년 내 D램 시장의 주력 제품 후보인 2Gb DDR3 제품군에서 확실한 주도권을 확보할 전망이다. DDR2 제품이 주를 이루는 대용량 D램 제품 시장에서 DDR3 제품이 빠른 속도로 대체할 것으로 예측되기때문이다. 수요처는 절전 등 친환경 제품 출시와 원가절감 등 생산성 향상에 초점을 뒀다. IDC에 따르면 세계 D램 시장에서 DDR3 D램은 2009년 29%, 2011년 75% 성장하고, DDR3 D램에서 2Gb 비중은 2009년 3%, 2011년 33%를 차지할 전망이다.
삼성은 50 나노급 2Gb D램 솔루션으로 대용량 DDR3 모듈을 양산한다. 서버용 8Gb RDIMM(Registered Dual In-line Memory Module) △워크스테이션 및 데스크놉 PC용 4Gb UDIMM(Unbuffered DIMM) △노트북PC용 4Gb SODIMM(Small Outline Dual In-line Memory Module) 등을 제작, 다양한 수요처에 공급할 예정이다.
삼성전자 관계자는 “고객 요구에 대응하는 대용량·고성능 제품을 선행 출시, 고부가가치 D램 시장을 확대하고 시장을 선점해 경쟁 우위를 지속 유지해 나갈 방침”이라고 말했다.
안수민기자 smahn@
