하이닉스, 3중셀 32Gb 낸드플래시 메모리 개발

하이닉스반도체(대표 김종갑, www.hynix.co.kr)가 3일, 세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32기가비트 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다.

3중셀(3 bit per cell, X3)은 한 셀에 하나의 정보를 담는 SLC(Single Level Cell), 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 기존의 MLC(Multi Level Cell)에 이어 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 기술이다.

이번에 개발한 3중셀 기반의 제품은 기존 MLC 대비 칩 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 원가 절감을 실현했다.

하이닉스는 이 기술을 기반으로 16기가비트 양산 적용에 한정됐던 48나노 공정기술을 32기가비트 제품까지 확대 적용해 오는 10월부터 양산에 들어갈 예정이다.

이 제품은 8개로 묶인 하나의 상용 칩패키지로 구성돼32기가바이트까지 메모리 용량을 구현함으로써 MP3 음악파일 8000곡, DVD화질급 영화 20편, 고해상도 사진 3만6천장, 일간지 200년치, 단행본 220만권 분량에 해당하는 방대한 정보를 저장할 수 있다.

또한 하이닉스반도체, 인텔, 소니, 마이크론 등이 주도하고 있는 ONFI(Open NAND Flash Interface)의 규정을 따른 세계 최초의 BA(Block Abstracted) 낸드플래시 제품이기도 하다.

하이닉스가 개발한 이 제품은 MSP(Memory Signal Processing) 기술을 이용해 3중셀 제품의 최대 장애요인인 셀간 간섭 현상을 해결했다.

이로써 기존 MLC제품과 동일한 수준의 성능과 신뢰도를 확보하면서도 생산원가를 크게 낮춰 시장 경쟁력을 획기적으로 강화하게 됐다.

한편 하이닉스 관계자는 " MSP 기술은 향후 4중셀(4 bit per cell, X4)등 차세대 제품에도 확장 적용이 가능해 공정 미세화의 한계를 극복하고 비트그로스를 유지할 수 있는 대안이 될 것으로 기대되고 있다"고 밝혔다.

전자신문인터넷 조정형기자 jenie@etnews.co.kr