나노 소자로 트랜지스터 특성 제어한다

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 국내 연구팀이 국제 공동연구를 통해 나노선 표면구조로 트랜지스터 특성을 제어할 수 있는 기술 개발에 성공했다.

 광주과학기술원(GIST·원장직무대행 문승현)은 신소재공학과 이탁희 교수와 홍웅기(박사과정)씨가 영국 케임브리지대학 마크 웰랜드 교수팀과 차세대 나노소자 기술에 적용할 수 있는 산화아연 나노선(NanoWire)을 이용해 전계효과 트랜지스터를 제작하고 전도특성을 입체적으로 구명해냈다고 3일 밝혔다.

 특히 이 교수팀의 연구성과는 아직까지 미지의 영역으로 남아 있는 나노소자의 전도특성에 대한 이해의 폭과 깊이를 넓히고 이를 바탕으로 나노전자회로 등 반도체 나노선의 응용 가능성을 열었다는 점에서 높은 평가를 받고 있다.

 반도체 나노선은 우수한 전기적·광학적·기계적·열적 특성을 나타내기 때문에 전계효과트랜지스터와 발광소자, 논리회로 등과 같은 다양한 나노소자의 기초 나노물질로 인식되고 있다. 전계효과트랜지스터는 논리회로를 구성하는 가장 기본적인 단위소자로 응용기술의 개발을 위해서는 전도특성을 이해하는 것이 매우 중요한 과제다.

 그동안 반도체 나노선에 대한 연구는 나노선의 성장기술과 매우 기본적인 전도특성에만 초점이 맞춰져 왔으며 나노선의 표면특성과 직경의 상관관계에 따른 전도특성의 변화와 같은 입체적인 연구는 체계적으로 이뤄지지 않았다.

 이 교수는 “산화아연 나노선이 전계효과트랜지스터의 전자 전도특성을 변화시킬 수 있음을 보여주는 진일보한 연구성과”라며 “나노선 기반의 논리회로 등에 다양하게 응용될 수 있을 것”이라고 말했다.

 한편 이번 연구결과는 나노과학기술 분야에서 영향력 지수 1위를 자랑하는 세계 최고의 권위지인 ‘나노 레터스(Nano Letters)’에 지난달 27일자 온라인판에 게재됐다.

 광주=김한식기자@전자신문, hskim@


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