하이닉스도 2Gb D램 개발

　삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 60나노급 2Gb D램을 개발, 올해 말부터 본격 양산에 들어간다.

1Gb D램에 이어 2Gb D램 양산에서도 국내 반도체업계가 해외 경쟁사 대비 선공을 가하면서, 기가급 D램 시장에서 한국의 주도권이 한층 공고해 질 전망이다.

삼성전자와 하이닉스는 올 연말까지 1Gb D램의 비중을 최대 40%까지 확대한다는 목표를 표명해 놓은 상태다.

하이닉스반도체(대표 김종갑)는 66나노 2Gb D램 개발에 성공, 인텔 인증 절차를 밟고 있다고 13일 밝혔다. 인텔 인증은 이르면 다음주 초 받을 것으로 예상된다.

하이닉스가 개발한 2Gb D램은 삼성전자와 달리 66나노 8F스퀘어 공정이 사용됐다. 삼성전자의 2Gb D램은 68나노 6F스퀘어 공정 제품이다. 제품 사양은 JEDEC 표준에 근거하고 있어, 삼성전자와 같은 800Mbps의 데이터 처리 속도를 실현했다. 현행 최고속 D램은 667Mbps(초당 667메가비트의 데이터 처리)로 800Mbps는 20% 가량 성능이 향상된 것이다.

지금까지 최첨단 제품 개발에 뒤져 온 하이닉스반도체는 지난해부터 DDR3 1Gb D램·60나노 DDR2 모듈 등 일부 제품에서 삼성전자에 비해 개발 시점이 앞서는 등, 최근들어 두 회사간 최첨단·초고속·대용량 메모리 개발 경쟁이 치열하게 전개되고 있다.

심규호기자@전자신문, khsim@