기술유출방지 대항 이전 때 사전허가 받아야

　80나노 이하 D램과 70나노 이하 낸드플래시 전공정 및 후공정 공장을 해외에 짓게 되면 반드시 정부의 사전 허가를 받아야 한다. 이에 따라 삼성전자는 당장 중국 쑤저우 후공정 공장 업그레이드 계획에, 하이닉스반도체는 중국 우시 공장의 미세공정 도입에 차질이 불가피할 전망이다.

　23일 정부와 관련업계에 따르면 기술유출방지법에 적용되는 반도체 첨단기술 기준이 정부와 업계의 협의를 거쳐 사실상 이같이 확정됐으며 다음달 중순으로 예정된 산업기술보호위원회(위원장 국무총리)에서 승인될 예정이다.

　정부와 업계가 합의한 반도체 첨단기술 기준은 △80나노 이하 미세공정을 적용한 D램 기술·70나노 이하 미세공정을 적용한 낸드플래시 기술 △80나노 이하 D램 패키지 및 검사공정과 70나노 이하 낸드플래시 패키지 및 검사공정 등이다.

　기준 선정을 위해 최근 개최된 실무위원회에 참석한 한 관계자는 “이번에 결정된 반도체 첨단기술 기준은 국내에서 현재 양산 단계에 있는 첨단 공정보다 한 단계 하위 기술을 기준으로 한 것”이라며 “유출 대상이 되는 지역도 한국 국경을 넘어가는 모든 지역으로 결정됐다”고 설명했다.

　이번 결정으로 삼성전자는 미국 오스틴 전공정(팹) 공장과 중국 쑤저우 후공정(패키징·검사) 공장에 첨단기술기준에 해당되는 공정을 적용할 때, 하이닉스반도체는 중국 우시공장과 미국 유진공장에 첨단공정을 내보낼 때 정부의 허가 또는 신고 절차를 밟아야 한다.

　이들 공장에 첨단기술을 적용하기 위한 장비 및 기술 이전 시, 정부에 허가 또는 신고해야 하는 불편을 감수해야 하며 경우에 따라서는 해당 공정의 해외공장 적용이 불가능해질 수도 있다. 정부의 허가 사안과 신고 사안은 아직 최종 확정되지 않았으나 조만간 사안별 가이드라인도 마련될 전망이다.

　이번 첨단기술 기준은 삼성전자와 하이닉스반도체가 사전에 제출한 의견을 산업기술평가원이 접수해 수렴한 결과를 바탕으로 △정부 2명(산자부·국정원) △업계 2명(삼성전자·하이닉스) △학계·연구계 6명으로 구성된 심사위원들이 다수결로 잠정 결정했다. 다수결에 들어가기 앞서 후공정을 포함할지, 팹공정만 포함할지의 두 가지 안이 최종 쟁점에 올랐으며, 다수결 결과 6 대 4로 후공정을 포함하는 안이 선정됐다.

　심규호기자@전자신문, khsim@