관련 통계자료 다운로드 삼성전자 반도체 초미세공정 및 대용량 제품현황 삼성전자가 최첨단 51나노(㎚) 미세공정을 적용한 낸드플래시의 생산 비중을 현재 2%에서 연말까지 30% 이상으로 확대한다. 이와 함께 D램도 80나노 이하 미세 공정을 적용한 제품의 생산 비중을 현재 40% 수준에서 연말까지 80%로 끌어올린다.
51나노 공정에서 낸드플래시를 생산하면 60나노대에서 생산할 때보다 생산원가를 최대 40%까지 줄일 수 있다.
삼성전자(대표 윤종용)는 지금까지 60나노대 공정에서 주로 생산해오던 낸드플래시를 현존 최미세공정인 51나노로 대폭 전환, 6월까지 생산량의 10% 정도로 끌어 올리고, 연말까지는 30% 이상으로 확대한다고 3일 밝혔다.
삼성전자는 D램도 80나노 이하 미세 공정을 적용한 제품의 생산 비중을 현재 40% 수준에서 2분기말 55%, 연말까지 70∼80%로 늘린다는 방침이다.
삼성전자가 낸드와 D램의 미세공정 전환을 서두르는 것은 △시황 악화로 가격 경쟁이 치열해지고 있어 수익성을 확보하고 △앞선 공정을 경쟁사보다 먼저 안정화해 기술주도권을 유지하겠다는 포석으로 풀이된다.
특히 삼성전자는 51나노 공정에서 최고용량인 16Gb 칩보다는 현 시장 주력제품인 8Gb 용량 생산에 주력한다는 방침이다.
이럴 경우 전체 낸드플래시 가운데 51나노 8Gb 제품 비중은 1분기 60%에서 2분기 75%, 3분기부터는 80% 이상으로 높아진다. 51나노 공정을 적용해 8Gb 낸드플래시를 생산하면 60나노대에서 보다 생산원가를 최대 40%까지 줄일 수 있어, 가격 경쟁력이 크게 높아진다.
경쟁사들은 주로 60나노대 공정에서 8Gb 낸드 플래시를 생산하고 있다.
심규호기자@전자신문, khsim@
