삼성·하이닉스, 변화무쌍한 메모리 시장 대응

　삼성전자와 하이닉스 반도체가 최근 구형 팹을 활용하는 관례를 깨고 최첨단 300㎜팹을 버퍼팹으로 쓰기 시작했다.

　15일 관련업계에 따르면 삼성전자는 지난해까지 200㎜ 팹인 9라인과 300㎜ 팹 일부를 버퍼 팹으로 적극 이용했으나, 최근에는 300㎜팹인 12, 13라인을 활용하기 시작했다.

　하이닉스반도체도 지난해까지 200㎜ 팹인 7라인을 버퍼팹으로 쓰다가, 올해부터 자사 유일의 국내 300㎜ 팹인 10라인을 버퍼 팹으로 활용할 계획인 것으로 알려졌다.

　이는 현 주력 메모리인 D램과 낸드플래시의 시황이 예측 불허로 요동치면서 ‘버퍼 팹’이 변화무쌍한 메모리 시장 대응 전략의 첨병으로 부상했기 때문이다. 삼성전자와 하이닉스는 이미 2005년부터 생산라인 가운데 한 두개를 버퍼팹으로 바꾸고 메모리 시장 동향에 대응해 물량을 조절해 왔다.

　◇뉴스의 눈…왜 버퍼팹인가

　버퍼 팹이란 D램과 낸드플래시를 필요에 따라 번갈아 가며 생산할 수 있는 것으로 낸드와 D램의 평균판매단가(ASP)가 수급 현황에 따라 큰 차이를 보이면서 메모리 업계의 수익성과 직결되고 있다.

　버퍼 팹을 활용하면 수익률을 높일 수 있지만 결코 쉬운 일은 아니다. 삼성전자와 하이닉스반도체 모두 ‘버퍼 팹’에서 생산 품목을 전환하는 데 항상 신중을 기한다. 생산품목을 바꾸는데 약 4개월이 소요되기 때문에, 4개월 후 시황이 어떻게 될 지를 예측하는 것이 쉽지 않기 때문이다. 업계 한 고위관계자는 “버퍼 팹의 생산품목 전환은 기존라인의 포트폴리오에서 팹당 물리적인 생산량 증강 노력과 미세공정화를 통한 증강 노력을 병행한 뒤, 판단하게 된다”고 설명했다.

　이 때문에 최근 낸드플래시가 강세를 보이고 있음에도 삼성전자와 하이닉스반도체는 버퍼팹에서 생산중인 D램을 올 연말에나 낸드플래시로 전환할 것을 검토하고 있다. 삼성전자와 하이닉스는 모두 낸드 플래시 생산을 위한 50나노대 공정을 도입중이기 때문에 증산 효과가 있을 예정이고 그때까지 낸드플래시 시황이 어떻게 변할지 예측하기 힘들다. 삼성과 하이닉스가 낸드 생산 비중을 높일 경우 세계시장 수급에까지 영향을 미칠 수 있기 때문이다.

　삼성전자와 하이닉스는 낸드 생산비중(웨이퍼 기준)이 각각 40%, 30%에 가깝고 세계 낸드시장 점유율에서도 각각 약 40%, 20%에 이르고 있다. 업계에서는 삼성전자와 하이닉스가 공격적으로 D램을 낸드로 전환할 경우, 삼성전자의 경우 낸드 비중이 5% 포인트, 하이닉스는 10% 포인트까지 올라갈 것으로 보고 있다.

　심규호기자@전자신문, khsim@