하이닉스반도체가 처음으로 순이익 2조원을 넘어섰다. 특히 지난해 4분기에는 영업이익률(본사 기준)에서 삼성전자를 추월하는 진기록까지 달성했다.
하이닉스반도체(대표 우의제 www.hynix.co.kr)는 31일 투자설명회를 열고 지난해 4분기에만 1조370억원에 이르는 막대한 순이익을 실현했다고 밝혔다. 하이닉스반도체의 지난해 4분기 매출액은 2조6120억원, 영업이익은 8580억원이다.
하이닉스는 이에 힘입어 지난해 연결 기준으로 매출액 7조6930억원, 영업이익 2조570억원, 순이익 2조550억원을 기록해 사상 최대 연간 매출과 이익을 달성했다.
하이닉스가 연간 순이익 2조원을 돌파한 것은 설립 이래 처음이다. 국내 기업 가운데 연간 순이익 2조원을 돌파한 업체는 삼성전자·포스코·국민은행 등 다섯 손가락에 꼽힌다.
하이닉스는 “이 같은 기록적인 실적을 달성할 수 있었던 요인은 80나노 D램 제품의 조기 양산체계를 구축하고 MLC 낸드 플래시 제품의 생산성을 증대함으로써 원가 경쟁력과 시장 점유율을 확대했기 때문”이라고 설명했다.
하이닉스의 연간 순이익이 2조원을 넘어섬에 따라 일각에서 제기됐던 공격적 팹 투자(팹 6개 건설 계획)에 대한 자금 조달 우려를 완전히 불식할 수 있게 됐다.
하이닉스가 삼성전자의 영업이익률을 뛰어넘은 것도 처음이다. 하이닉스반도체가 지난해 4분기에 기록한 8580억원의 영업이익을 영업이익률로 환산하면 무려 33%에 이른다. 이는 같은 기간 삼성전자 반도체의 영업이익률 31%보다 2%포인트 앞선 것이다. 그러나 지난해 연간으로는 본사 기준으로 삼성전자가 26%로 하이닉스의 25%보다 1%포인트 앞섰다.
하이닉스반도체는 이에 대해 “200㎜ 팹인 M7·M8·M9가 세계 최고 월 생산량과 수율을 유지하고 있고, 300㎜ 팹인 M10도 지난해 풀 가동에 들어가기 시작하는 등 국내 팹들이 기대이상의 성과를 내고 있기 때문”이라며 “특히 80나노 D램 생산이 경쟁사에 비해 조기에 안정화된 것이 큰 힘이 됐다”고 설명했다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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