삼성전자(대표 윤종용)는 업계 처음으로 80나노 공정을 적용, 세계 최소형 1기가 DDR2 D램 양산에 착수했다고 29일 밝혔다.
이번 양산을 시작하는 80나노 1기가 D램은 기존 90나노 1기가 D램의 절반크기(11㎜×11.5㎜)로, 90나노 공정 제품에 비해 생산성이 50% 정도 향상돼 원가 경쟁력을 대폭 강화할 수 있게 됐다.
1기가 D램은 현재 양산되고 있는 D램 중 최대 용량의 제품으로 주로 차세대 서버용 4기가바이트 모듈과 노트북용 2기가바이트 모듈 등 대용량 메모리 모듈 제작에 사용되고 있다.
삼성전자측은 “1기가 D램에 업계 최초로 80나노 공정 적용을 시작함으로써, 향후 대용량 D램 시장 주도권도 지속적으로 유지해 나갈 것으로 기대된다”고 밝혔다.
삼성전자는 지난 2004년에 90나노 1기가 D램, 올 3월부터는 80나노 512메가 D램 양산을 업계 처음으로 시작한 바 있다.
기존 90나노 1기가 D램으로 4기가바이트 메모리모듈과 같은 대용량 모듈을 만들기 위해서는 D램 단품 2개를 적층해 모듈에 탑재해야 하는 등 공정이 비교적 복잡한 단점이 있었다. 그러나 이번 양산에 들어가는 세계 최소형 80나노 1기가 D램을 사용하면, 칩 적층과 같이 복잡한 구조 대신 모듈 위에 단순히 2열로 배치할 수 있게 됨으로써 공정이 단순해지고, 제조비용도 대폭 절감할 수 있다고 회사측은 설명했다.
시장조사기관 데이터퀘스트에 따르면, 세계 D램 시장규모는 올해 287억달러에서 2008년 378억달러로 연평균 14%의 고성장이 예상되며, 1기가 D램이 차지하는 비중도 올해 8% 수준에서 2008년에는 36%로 높아지면서 D램 시장의 주력제품으로 부상할 것으로 전망된다.
심규호기자@전자신문, khsim@
