하이닉스반도체가 네 번째 300㎜ 팹을 국내에 건설할 계획인 것으로 확인됐다. 삼성전자도 S·14·15·16라인으로 이어지는 화성단지의 대규모 투자 계획을 발표한 상태여서 적어도 향후 수년간 반도체가 한국 전자산업계의 투자를 견인할 전망이다.
13일 관련업계에 따르면 하이닉스반도체(대표 우의제)는 이르면 내년 말 착공을 목표로 네 번째 300㎜ 메모리라인을 국내에 새로 건설하는 방안을 검토하고 있다.
하이닉스반도체는 이미 가동중인 이천 M10 팹과 중국 우시 팹, 내년 가동을 목표로 기존 이천 M6(200㎜)라인을 300㎜로 업그레이드하는 신규 팹을 포함해 총 3개의 300㎜ 팹을 가동중이거나 가동한다는 계획을 발표했다. 따라서 이번 검토단계인 신규팹 건설이 확정되면 국내에서는 세 번째, 해외를 포함하면 네 번째 300㎜ 팹이 될 전망이다.
새 팹이 들어설 장소는 이천공장이나 청주공장(옛 맥슨전자 자리)이 거론되고 있고 지자체 상황 등 주변환경을 검토하고 있는 것으로 전해졌다.
삼성전자(대표 윤종용)도 이미 2012년까지 300㎜ 이상 첨단 라인 8개를 건설해 화성단지를 세계 최대 첨단 ‘세미콘-클러스터’로 육성한다는 계획을 공표했다. 이를 위해 삼성전자는 330억달러를 투자하며 화성단지에 남아 있는 29만평 규모의 미개발 용지를 활용한다.
삼성전자는 현재 300㎜ 시스템반도체 라인인 S라인의 생산능력 확대를 위한 투자를 진행하고 있으며, 15라인 건물 건설도 마무리 단계에 있는 등 총 22개 첨단라인을 확보하기 위한 투자를 하고 있다.
동부일렉트로닉스(대표 윤대근)는 현재 상우공장과 부천공장을 포함해 약 6만장(200㎜) 규모인 생산능력을 올해 말까지 7만장으로 확대하는 한편 이미 건물이 완공돼 200㎜로 절반가량이 활용되고 있는 상우공장에 장기적으로 300㎜ 팹을 설치하는 방안을 추진하고 있다.
이 회사 관계자는 “파운드리사업은 시황에 민감한 주문형이기 때문에 미래시장 예측이 중요하다”며 “내부적으로 향후 경기가 좋아질 것이라는 판단 아래 생산능력을 키워 나가야 한다는 기본원칙이 있지만 아직 추가 투자가 최종 확정되지는 않았다”고 말했다.
업계 한 관계자는 “지금 분위기로 볼 때 국내 반도체업계는 올해부터 공격적인 투자를 이어갈 것”이라며 “해외 경쟁업체도 중장기적인 투자계획을 잇달아 발표하고 있어 경쟁이 불가피하므로 국내 업체의 계획이 원활하게 진행될 수 있도록 범정부 차원에서 지원이 필요하다”고 전했다.
한편 국내외 반도체 업체가 발표한 중장기 계획에 따르면 올해 말에는 300㎜ 팹이 전 세계에 50개 이상 건설되고, 내년에는 60개 이상으로 늘어나는 등 향후 2∼3년 동안 공격적 투자가 이어질 전망이다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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