800년분의 일간신문과 MP3 음악 파일 6만4000곡, 2시간짜리 DVD급 영화 64편을 담을 수 있는 반도체 공정재료가 개발됐다.
동진쎄미켐(대표 이부섭 http://www.dongjin.com)은 차세대 노광기술로 주목받는 액침 공정용 불화아르곤(ArF) 포토레지스트를 개발했다고 27일 밝혔다.
이 공정재료을 사용하면 회로 선폭이 더 좁아지면서 같은 단위면적에 더 많은 트랜지스터를 구현, 최대 128Gb에 이르는 대용량 메모리 반도체 제작이 가능해 현재보다 최고 30배가 넘는 용량을 가진 반도체를 만들 수 있다.
액침 공정은 노광장치와 웨이퍼 사이에 물을 넣어 이 물이 만드는 빛의 굴절을 이용해 미세한 반도체 패턴을 형성하는 기술이다. ArF을 사용하는 기존 노광방식은 70㎚가 선폭의 한계로 여겨지는 반면 액침 공정은 45㎚ 수준으로 선폭을 좁힐 수 있어 세계 반도체 업계가 도입을 서두르고 있다. 액침공정은 이르면 내년 말이나 2008년에는 주요 반도체 업체들에서 본격 채택될 전망이다.
동진쎄미켐이 개발한 포토레지스트는 액침 공정 상용화의 가장 큰 난제였던 물이나 공기방울에 의한 회로결함을 줄인 것이 특징이다. 기존 외산 제품의 경우 단위면적당 200∼300개 수준의 결함이 나타나는 반면 이 제품은 70개 미만으로 줄어 수율 향상이 기대된다고 회사측은 설명했다.
이 기술에 대해 벨기에 반도체 공정기술 관련 연구소 IMEC는 50㎚급의 해상도 구현이 가능해 45㎚ 공정의 상용화에 가장 근접한 재료라고 평가했다.
박정문 사장은 “이번 포토레지스트 개발로 대용량 메모리를 장착한 멀티미디어 모바일 기기의 등장이 가능해져 유비쿼터스 시대를 앞당길 것으로 기대한다”고 말했다.
또 동진쎄미켐은 32㎚ 이하 공정을 구현할 수 있는 차차세대 노광 기술인 극자외선(EUV) 공정용 포토레지스트의 개발도 마무리 단계에 접어들었다고 밝혔다. 나노 패턴 형성 과정에서 패턴 거칠기를 기존의 절반으로 낮춰 EUV 공정의 주요 걸림돌을 제거하는 전기를 마련했다.
한세희기자@전자신문, hahn@
