하이닉스 중국 우시공장 내년 4월께 D램 양산

　하이닉스반도체의 ST마이크로 합작사인 중국 우시공장이 내년 4월 D램 양산에 착수한다.

　27일 관련업계에 따르면 하이닉스반도체(대표 우의제)는 이르면 내년 1분기 말 늦어도 2분기 초에는 우시공장에서 D램 양산에 나설 것으로 알려졌다.

　하이닉스는 그간 D램과 낸드플래시 가운데 어떤 제품을 양산할지를 놓고 고민해 왔다. 특히 최근 낸드 시황이 좋아지고 애플과 장기 공급 계약까지 이뤄지면서 D램보다는 낸드플래시 생산 쪽에 무게 중심이 기우는 분위기였다.

　이에 대해 하이닉스 측은 “D램으로 양산을 시작할 계획이고 합작상대인 ST마이크로가 원하는 물량만큼만 낸드플래시를 생산할 것”이라며 “기본적으로 D램에 중점을 두지만 시황에 따라 유연하게 대처해 나갈 것”이라고 말했다.

　하이닉스의 이 같은 결정은 △내년 하반기 PC 새 운용체계인 ‘비스타’가 D램 수요를 견인하면서 D램시장이 활황을 보일 것이라는 예상과 △상계관세 문제가 없는 플래시메모리보다는 이에 민감한 D램을 중국에서 생산하는 것이 더 효과적이라는 판단에 따른 것으로 풀이된다.

　이에 따라 하이닉스반도체는 국내 팹, 특히 청주 팹을 중심으로 D램 라인의 낸드플래시 전환을 서두를 것으로 예상된다.

　하이닉스반도체는 중국 공장에 2조원 이상을 투입해 총면적 16만평 단지에 200㎜와 300㎜ 팹을 1개씩 총 2개 팹을 건설할 계획이다. 내년 4월에는 우선 200㎜ 팹을 가동해 90나노 공정에서 D램을 월 4만장(200㎜ 기준) 규모로 양산을 시작, 점차 생산량을 늘려 나갈 예정이다.

심규호기자@전자신문, khsim@