NTT연구소, P램 기술 개발

NTT가 기존 전자 재료로 차세대 메모리 가운데 하나인 ‘R램’을 만드는 데 성공했다고 니혼게이자이신문이 22일 보도했다.

보도에 따르면 NTT마이크로시스템인테그레이션연구소는 강유전체인 티탄산비스무스를 사용해 F램을 만드는 데 성공했다. 기존 방법으로 F램을 만들었기 때문에 생산 원가도 크게 낮아졌다.

R램은 플래시메모리와 같이 전원을 끄더라도 정보가 없어지지 않는 구조로 오히려 플래시메모리보다 고속·저소비전력으로 알려져 있다.

이 연구소는 연티탄산비스무스를 두께 30∼50㎚의 박막으로 만들어 전극을 감싼 구조를 기판상에 만들었다. 박막 형성에는 반도체 레이저 제조 등에 널리 사용되는 ECR스퍼터링방식을 이용했다.

R램은 샤프, IBM, 산업기술총합연구소 등이 개발하고 있는데 보통 칼슘, 망간 산화물재료 등으로 제작된다. 반도체 소자에는 사용하지 않는 재료로 만들기 때문에 소자를 만들기 위한 박막화가 가장 어려운 난제였다. NTT연구소는 향후 검증을 통해 실용화 연구 개발을 가속화할 계획이다.

플래시메모리는 현재 휴대용 MP3 플레이어 및 디지털 카메라의 메모리 등에 폭넓게 이용되고 있다. 최근 들어서는 플래시메모리보다 고성능인 F램, M램, P램 등 차세대 메모리 연구에 업체간 경쟁이 가열되고 있다. 명승욱기자@전자신문, swmay@