P램에도 `황의 법칙`

　‘P램에도 황의 법칙’

　삼성전자(대표 윤종용)는 올해 세계 최초로 256Mb P램을 개발한 데 이어 내년에는 512Mb, 2007년과 2008년에는 단계적으로 1Gb와 2Gb를 개발해 차세대 메모리인 P램에서도 매년 2배 이상 성장한다는 ‘황의 법칙’ 실현에 도전한다.

　삼성전자 반도체총괄 정태성 상무는 4일 서울 신라호텔에서 계속된 ‘애널리스트 데이-삼성전자 테크포럼(Tech Forum)’에서 ‘메모리 기술 및 솔루션 로드맵’이란 주제 발표를 통해 이같이 밝혔다.

　정 상무는 “차세대 반도체인 P램, F램, M램 중에서 집적도와 속도 등을 종합적으로 고려한 결과 차세대 이동통신에 적합한 P램을 집중 육성한다는 전략을 마련했다”며 “P램은 기존 플래시메모리와 달리 블록 저장방식이 아니라 특정 데이터만 저장하고 지우는 기능이 가능해 속도를 대폭 향상시킬 수 있어 모바일용 메모리로 적합하다”고 설명했다.

　삼성전자 관계자는 “그러나 이것이 P램 이외의 다른 차세대메모리인 F램·M램 개발을 중단하는 것을 의미하는 것은 아니다”라고 설명했다.

　P램(Phase-change RAM)은 ‘저마늄 안티몬 텔룰라이드(Ge2Sb2Te5·GST)’라는 상변화 물질을 이용한 메모리다. 이 물질이 비정질 상태에서 결정질 상태로 변화할 때 1비트를 얻는 방식으로 동작하는 신개념 차세대메모리 반도체다. 전원이 끊겨도 저장된 정보가 지워지지 않는 플래시메모리의 장점과 빠른 처리 속도를 자랑하는 D램의 장점을 모두 가지고 있다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@