삼성전자(대표 윤종용)는 낸드 플래시와 D램 등 메모리 라인과 관련 경기도 시흥과 화성에 6367억 원을 투자키로 했다고 4일 밝혔다.
이 금액은 기존 발표된 올해 반도체 투자액에 포함된 것으로, 낸드플래시 14라인 증설 및 공정 업그레이드(70나노 공정 확대)와 D램 라인의 80나노 전환 등에 활용된다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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