삼성전자, 90나노 공정 적용 1기가 D램 양산

삼성전자(대표 윤종용)는 세계 최초로 90나노(1나노=10억분의 1m, 사람 머리카락 굵기의 10만분의 1) 공정을 적용한 1Gb DDR2 D램의 양산에 돌입했다고 23일 밝혔다.

　삼성전자는 이미 90나노 공정을 적용하고 있는 512Mb DDR, 512Mb DDR2 및 512Mb 그래픽 DDR3에 이어 1Gb D램에도 조기에 90나노 공정을 적용, 나노반도체 분야에서는 타 업체와의 격차를 한층 더 벌릴 수 있게 됐다.

　삼성전자는 올 4분기까지 90나노 1Gb D램 월 100만개 생산체제를 갖추고 지속적으로 생산량을 늘려 나갈 예정이며, 90나노 공정 비중도 올 연말에는 40%로 확대할 계획이다.

　삼성전자가 양산하는 제품은 동작전압 1.8V의 1Gb DDR2 400·533·667로 90나노 공정을 적용한 1Gb D램으로는 최초로 인텔의 인증도 획득한 제품이다.

　삼성전자는 특히 동일 라인 동일 공정에서 마스크 교체만으로 DDR2와 DDR를 함께 생산할 수 있는 ‘콤보 다이’ 공정법을 적용한 DDR-DDR2 동시 양산체제를 갖췄으며 시장상황에 따라 이르면 3분기부터 90나노 1Gb DDR 400 제품도 양산할 방침이다.

　1Gb 이상 기가급 D램은 서버, PC의 64비트 기술 적용 확대로 수요가 점차 늘어나 오는 2008년에는 1Gb D램이 170억달러 규모로 성장, 주력 메모리 제품으로 부상할 전망이다.

　90나노 공정은 0.11㎛(미크론)급 공정 대비 약 40% 생산성 향상을 가져와 원가경쟁력을 획기적으로 높일 수 있는 최첨단 메모리 미세공정 기술로, 특히 기가급 대용량 D램에는 필수적인 차세대 공정기술이다.

　유형준기자@전자신문, hjyoo@

사진: 삼성전자가 세계 최초로 양산하는 90나노 공정 적용 1Gb D램.