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차세대 비휘발성 메모리 개발 사업 1차년도 총괄 워크숍 30일 열려

산업자원부와 한양대학교는 오는 30일 한양대학교 백남학술정보관에서 ‘차세대 비휘발성 메모리 개발 사업의 1차년도 총괄 워크숍’을 개최한다고 22일 밝혔다.

이번 행사에서는 △0.1Tb급 PRAM용 소재 및 소자기술개발 △Tb급 NFGM 핵심기술개발 △4Gb급 PoRAM 신재료 소자공정·설계 원천기술연구 △4Gb급 ReRAM 소자 원천기술개발 등에 대한 발표가 진행된다.

김규태기자@전자신문, star@

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