집적회로(IC) 발명자인 잭 킬비(Jack Kilby)가 암 투병 끝에 지난 20일(이하 현지 시각) 향년 81세를 일기로 세상을 떠났다.
킬비는 텍사스 인스트루먼트 입사 2년 째인 1959년 반도체 소자들을 1개의 게르마늄 칩에 집적시키는 데 세계 최초로 성공했다. 당시 톰 엥기바우스 TI 회장은 “인류 역사의 물줄기를 바꾼 작업을 한 사람은 손가락으로 꼽을 정도”라며 “잭 킬비는 헨리 포드·토마스 에디슨·라이트 형제와 같은 반열에 올랐다”고 말했다. 실제로 킬비는 이 발명으로 미국 발명가 ‘명예의 전당’에 이름을 올렸다. 여기에는 헨리 포드·토마스 에디슨·라이트 형제들의 이름도 올라 있다.
잭 킬비는 IC 관련 특허를 포함해 평생 60개 이상의 미국 특허를 취득했고 미국과학상(1969년)·미국기계기술협회의 홀리 메달(1983년)·미국기술상(1990년) 등을 받았다.
특히 그는 고속 트랜지스터와 레이저 다이오드 등을 개발해 정보기술(IT)의 토대를 마련한 공로로 미국의 허버트 크뢰머, 러시아의 조레스 알페로프와 함께 2000년 노벨 물리학상을 공동 수상했다.
한편 그가 IC를 개발한 몇 년 뒤 반도체 회사인 페어차일드 세미컨덕터의 로버트 노이스(인텔 공동창업자)가 킬비의 발명품보다 복잡한 실리콘 회로를 개발해 또다른 특허를 취득했다.
정소영기자@전자신문, syjung@
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