日 미라이 프로젝트, 6나노미터 트랜지스터 동작 성공

일본 정부와 반도체업체 등 민간 25개사가 주축이 돼 추진 중인 차세대 반도체 프로젝트 ‘미라이’가 6㎚(나노미터) 반도체 개발에 성큼 다가섰다.

21일 미라이팀은 원자 수준의 평범한 실리사이트 계면과 불순물을 이용해 접합 형성기술을 개발, 이를 금속의 고전도율 절연막 형성 기술과 접합시켜 게이트 길이 6㎚인 트랜지스터를 작동하는데 성공했다고 발표했다.

트랜지스터는 수㎚까지 미세화하더라도 작동된다는 이론이 연구 단계에서 규명됐지만 실제 실험에 성공하기는 이번이 처음이다.

이번에 개발한 트랜지스터의 작열 공정은 이온 주입 공정이 간소화돼 접합 형성에 필요한 열처리 온도를 기존보다 무려 400도나 떨어뜨린다. 이에 따라 향후 극한까지 미세화된 트랜지스터의 양산기술로서 활용이 기대된다. 지금까지 트랜지스터 접합 형성 과정에서 필요한 열처리 온도는 약 1000도였다.

명승욱기자@전자신문, swmay@