하이닉스, 국내 생산체제 재편

하이닉스반도체(대표 우의제)가 청주사업장 M8 팹의 낸드플래시 생산비중을 올해 안에 절반 이상으로 확대해, 낸드플래시 전용 팹인 M9과 함께 낸드플래시 중심 생산체제로 전환할 계획인 것으로 알려졌다.

하이닉스반도체 고위관계자는 3일 “D램 전용인 기존 이천사업장의 M6라인에서 월 4만장 생산규모의 장비를 청주사업장 M8라인으로 이관하면서 낸드플래시 생산라인으로 바꿀 것”이라고 밝혀 이같은 사실을 뒷받침했다.

D램과 낸드 혼재라인인 M8은 현재 낸드플래시를 월 1∼2만장 생산하고 있어, 여기에 낸드플래시 월 4만장이 추가되면 낸드의 비중이 50∼60%로 확대된다.

이에 따라 하이닉스반도체의 올해말 시점 낸드플래시 총 생산능력은 5월 현재의 월 8∼9만장(200㎜ 웨이퍼 기준)에서 월 12∼13만장으로 확대된다. 이럴 경우 이 회사의 전체 메모리 생산 가운데 낸드의 생산비중은 5월 현재 13∼15%에서 올해 말에는 20∼25%까지 올라간다.

더욱이 하이닉스는 내년초 가동에 들어가는 중국 합작법인에서도 낸드플래시 생산을 검토하고 있어 이 회사의 낸드 생산 비중은 내년에는 한층 확대될 것으로 예상된다.

이와 함께 하이닉스는 이천사업장은 300㎜ 라인인 M10 팹과 200㎜인 M7 팹 모두 기존의 D램 생산 전용체제를 유지할 계획이다.

청주사업장으로 월 4만 생산규모 장비가 이관되는 M6의 경우 이르면 올해말 나머지 4만∼6만 생산규모의 장비는 중국합작공장으로 이관하는 방안이 검토되고 있다. 이와관련 하이닉스 우의제사장은 “(청주사업장과 중국합작공장 이관으로 비게되는) M6라인은 300㎜ 메모리라인을 건설할 지 후공정 공장을 만들 지 검토 중”이라고 밝혔으나 M6 팹은 300㎜를 신규로 구축하기에는 건물이 작아 후공정 공장으로 전환될 가능성이 매우 높다.

이와관련 하이닉스반도체측은 “청주공장 전체를 낸드로 바꿀 경우 생산캐파가 18만장에 이르기 때문에 모든 결정은 낸드플래시 시황에 따라 확정해 나간다는 것이 기본 방침”이라고 밝혔다.

심규호기자@전자신문, khsim@

사진; 하이닉스반도체는 청주사업장 M8 팹의 낸드플래시 생산비중을 올해 안에 절반 이상으로 확대하고 이천사업장은 300㎜ 라인인 M10 팹과 200㎜인 M7 팹 모두 기존의 D램 생산전용체제로 전환하고 있다. 하이닉스반도체 연구원들의 연구모습.