`무어의 법칙`은 계속된다

　반도체의 성능이 1∼2년마다 두배로 개선된다는 무어의 법칙이 발표된지 꼭 40년이 지났다. 전문가들은 앞으로 10∼20년 후에는 반도체의 성능 향상이 한계에 도달, 무어의 법칙이 더 이상 적용되기 힘들 것으로 보고 있다.

　하지만 반도체 성능은 당분간 계속 좋아질 것으로 보인다. 이와 관련 C넷은 향후 10년간 무어의 법칙을 확인시켜줄 주목할 만한 차세대 반도체 기술들을 소개, 관심을 모았다.

　◇스핀트로닉스(Spintronics)=전자의 자기적 회전을 의미하는 스핀(spin)과 전자공학(electronics)의 합성어. 물질의 최소 단위 중 하나인 전자와 이 전자의 회전방향을 자기장을 이용해 원하는 대로 제어, 정보를 처리한다. IBM이 적극 개발에 나서고 있다.

　◇상 변환(Phase change)=메모리 반도체 기술에 주로 사용하며 인텔, 필립스 등이 강력 지지하고 있다. 이 기술을 활용한 P램 반도체는 M램, F램 등과 함께 차세대 반도체로 각광받고 있다.

　◇나노와이어와 나노튜브(Nanowires and nanotubes)=현 반도체 재료로 많이 사용하고 있는 실리콘을 대체 할 수 있는 신물질. 이들 물질은 1을 형성하기 위해 전자를 한 점(포인트)에서 또다른 점으로 이동시킬 수 있다. 하지만 대량의 나노와이어를 정렬시키는 방법이 아직 개발되지 않아 상용화에 걸림돌이 되고 있다.

　◇크로스바 래치(Crossbar latche=HP가 개발한 트랜지스터를 대체할 신물질. HP는 향후 10년내 이를 상용화 하기 위해 연구력을 집중하고 있다.

　◇저항 스위치(Resistance switching)=극소형 메모리 반도체를 만들 수 있는 신기술.

　◇III-V 컴파운즈(III-V compounds)=실리콘처럼 움직이지만 실리콘보다 훨씬 빠른 신물질. 하지만 비용이 많이 드는 점이 상용화에 걸림돌이다. 인텔과 퀴네틱 같은 업체들이 상용화에 큰 관심을 보이고 있다.

　◇광전자(Optoelectronics)=빛과 물질의 광학적인 성질을 전자공학 기술과 결합한 것으로 광기술을 반도체에 적용한 대표적 신기술이다. 광자의 무게는 전자보다 무려 25만배나 덜 나가 이를 활용하면 엄청나게 빠른 데이터 전송이 가능하다.

　◇이머션 리소그래피(Immersion lithography)=차세대 반도체 제조 기술로 미, 유럽 등이 한창 개발에 나서고 있다. 불과 2년전만 해도 웨이퍼를 물에 담그는 이 방법은 어리석은 기술로 여겼으나 지금은 거의 모든 제조업체들이 수년내 이를 받아 들일 것으로 여겨지고 있다.

　◇임프린트 리소그래피(Imprint lithography)=성능 향상 보다는 반도체 제조 비용을 획기적으로 줄여 줄 것으로 기대되는 신기술. 이미 80년대 실험실에서 개발에 성공했으나 아직 상용화에는 성공하지 못하고 있다. HP가 이 기술 연구에 힘을 쏟고 있다.

　◇EUV 리소그래피(EUV lithography)=일명 극자외선 리소그래피라 불리는데 인텔, AMD, IBM 등이 큰 관심을 가지고 있다. 이 기술을 활용한 제품 양산은 오는 2009년에나 가능할 전망이다.

　방은주기자@전자신문, ejbang@