삼성전자, 4Gb 원낸드 메모리 개발

삼성전자(대표 윤종용)는 1Gb 원낸드 4개를 적층, 휴대폰에 500만 화소급 사진 250장 또는 MP3 음악파일 120곡을 저장할 수 있는 ‘4Gb 원낸드 퓨전메모리’를 개발했다고 20일 밝혔다.

　4Gb 원낸드는 삼성전자가 지난해 개발한 90나노 1Gb 원낸드를 가지고 수직 4단으로 적층해 4Gb를 구현하는 반도체 패키지 기술인 쿼드다이패키지(QDP)를 적용했다.

　원낸드란 낸드형 플래시메모리를 기반으로 S램과 로직 회로 등을 하나의 칩에 구현함으로써 기능과 용도를 확대한 삼성전자의 차세대 주력 메모리반도체다.

　이번 제품은 낸드플래시보다 4배 빠른 읽기속도(108MByte/s), 노어플래시보다 67배 빠른 쓰기 속도(10MByte/s)를 가지고 있어, 모바일 기기의 부팅시간을 크게 단축하고 대용량 데이터를 실시간으로 저장할 수 있다.

　삼성전자 관계자는 “오는 7월부터 양산할 예정인 신제품은 1Gb 원낸드와 유사한 크기의 초소형 제품이며 1.8V의 저전력형 제품인 것이 특징으로 3세대 휴대폰을 중심으로 다양한 모바일 기기 시장에서 수요가 빠르게 늘어날 것으로 예상된다”고 말했다.

　삼성전자는 4Gb 원낸드 확보로 저용량 128Mb부터 대용량 4Gb까지 다양한 원낸드 제품군을 갖추게 됐으며 멀티칩패키지(MCP), 듀얼다이패키지(DDP), QDP 등 원낸드 기반의 다양한 패키지 제품 공급을 통해 모바일 시장의 대용량화를 실현하고 있다고 강조했다.

　회사 측은 또 이미 심비안, 리눅스, 마이크로소프트 OS 등 모든 모바일 운용체계에서 원낸드가 원활하게 사용될 수 있도록 원낸드 구동 소프트웨어를 개발해 제품과 함께 소프트웨어도 제공하는 원스톱 서비스를 실시, 세트업체들에 편의를 제공하고 있다고 덧붙였다.

　 심규호기자@전자신문, khsim@