기초과학연구원 반도체장비 원천기술 개발

　50∼100㎚ 범위의 초미세 회로선폭의 차세대 디스플레이 및 반도체 장비 제조에 사용되는 원천기술이 국내 연구진에 의해 세계 처음으로 개발됐다.

　한국기초과학지원연구원 핵융합연구개발사업단 이봉주 박사팀은 셈테크놀러지와 공동으로 반도체의 초미세 가공 때 발생하는 전하 및 자외선(UV)에 의한 손상 없이 50∼100㎚급 선폭을 구현하는 리소그라피, 식각기(에처), 박막증착장비를 제작할 수 있는 기술을 확보하는 데 성공했다고 1일 밝혔다.

　기술의 핵심원리는 반도체 웨이퍼 공정에서 사용하는 이온화 가스인 플라즈마의 전기적인 성질을 중성입자로 전환해 주는 것이다. 연구진은 중성입자 변환기를 자체 개발해 플라즈마가 전하를 갖고 있을 경우 웨이퍼 표면에 손상을 주던 문제점을 해소했다.

　연구진은 “이번 성과로 기존의 초미세 박막증착 공정에서 표면에 아무런 손상을 주지 않는 나노 수준의 웨이퍼 제작을 세계 최초로 실현하게 돼 실질적인 나노반도체 제작 시대를 열게 됐다”고 설명했다.

　이봉주 박사는 “이 기술은 정부가 추진하는 대형 국가연구개발 실용화 사업의 예비 타당성 조사 대상 과제에 들어 있다”며 “이미 반도체 제조기술과 관련한 특허 3개를 획득하고 8개를 출원중”이라고 말했다.

　반도체 공정 중 중성 입자를 이용할 수 있는 세계 장비시장 규모는 지난해 120억달러(15조원)에 달하며, 국내 시장은 전체의 10% 정도인 1조5000억원으로 추산된다.

　박희범기자@전자신문, hbpark@