삼성전자(대표 윤종용)는 현재 쓰이는 D램보다 동작속도가 최고 4배 빠르면서도 전력소모는 더 낮은 차세대 DDR3(Double Data Rate 3) D램을 세계 최초로 개발했다고 17일 밝혔다.
삼성전자의 DDR3 D램은 동작속도가 1.066Gbps로, DDR D램에 비해서 4배, 최근 주력 제품으로 떠오르고 있는 DDR2보다 2배나 빠른 속도를 자랑한다. 삼성은 이를 위해 구동기 자동 보정기술(Self Driver Calibration), 데이터 전송 동기화 기술(Data Synchronization) 등 신기술을 적용했다.
신제품은 특히 메모리 제품 가운데는 처음으로 1.5V의 저전압으로 동작, 1.8V인 DDR2에 비해 전력소모를 20% 가량 줄일 수 있다. 또 80나노 공정을 이용한 512Mb의 대용량으로 세계반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원하는 최초의 D램이라고 삼성전자는 소개했다.
삼성전자 관계자는 “(DDR3의 최초 개발로) ‘삼성이 만드는 반도체는 곧 세계 표준’이라는 공식을 다시 한 번 입증했으며 시스템용 주메모리 3세대 제품을 모두 확보한 유일의 반도체 업체가 됐다”고 강조했다.
삼성전자는 데스크톱, 노트북, 서버 등 컴퓨터 시스템이 빠르게 고성능화되면서 올해 주력 메모리가 DDR2로 전환되고, DDR3는 2006년 초기시장이 형성된 뒤 2007년 본격적인 성장기에 접어들 것으로 내다봤다.
삼성전자는 이에 따라 30% 가량인 DDR2 D램의 생산비중을 연말까지 50%선으로 높이고 내년 초부터는 DDR3도 양산을 시작해 시장을 선점한다는 전략이다.
반도체 전문 조사기관 IDC는 DDR3 D램이 2008년 전체 D램 시장의 37% 가량을 차지하면서 주력 제품으로 떠오를 것으로 전망했다.
심규호기자@전자신문, khsim@
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