포항공대,세계최고 진동주파 HBT 소자 개발

초고속 전자소자 성능을 획기적으로 개선할 수 있는 반도체 공정 기술이 국내 연구진에 의해 개발됐다.

　포항공대 김범만 교수(58·전자전기공학과) 연구팀은 초고속 아날로그 전자회로와 광통신 등에 사용되는 소자인 인듐인(InP) 이종접합 쌍극자 트랜지스터(HBT:Hetero-junction Bipolar Transister)의 최대진동주파수(fmax)를 세계에서 가장 높은 687㎓까지 끌어올린 HBT 소자 개발에 성공했다고 26일 밝혔다.

　이번에 개발된 687㎓의 HBT 최대 진동주파수는 반도체 양산이 가능한 소자 제작방식인 기본적인 메사(Mesa) 구조에서는 세계 최대 수치로 지금까지 개발된 기술로는 최대 진동주파수가 500㎓ 초반에 머물러 왔었다. 소자의 최대 진동주파수가 높아지면 데이터 전송 및 처리 속도를 획기적으로 높인 초고속 집적회로(IC) 개발을 앞당길 수 있다.

　연구팀은 소자 제작에 있어서 공정의 단순화와 소자의 구조 개선 등을 통해 HBT소자 중에서는 가장 작은 0.25㎛(1㎛=100만분의 1미터) 크기의 구조에서 소자 성능의 핵심요소인 RF 및 DC 특성을 크게 개선하는 데 성공했다.

　이번 연구결과는 지난해 말 미국 샌프란시스코에서 열린 세계 3대 반도체학회 중의 하나인 ‘2004 국제 전자소자회의(IEDM:IEEE Electron Device Meeting)’에서 발표돼 참가자들로부터 큰 관심을 끌었다.

　김범만 교수는 “국내 RF 부품·소재 분야의 원천기술이 될 이번 기술 개발로 초고속 무선통신분야나 광통신 등의 산업 개발에 박차를 가할 수 있게 될 것”이라고 전망했다.

대구=정재훈기자@전자신문, jhoon@