샌프란시스코서 열린 `국제전자소자회의`

반도체 분야 세계적인 학회인 국제전자소자회의(IEDM ;International Electron Devices Meeting)이 13일(현지시각) 미국 샌프란시스코에서 개최됐다. IEDM은 세계 반도체 시장의 첨단 기술을 새로 선보이고 정보를 공유하는 장으로 굴지의 반도체 업체들이 매년 기술 및 트렌드를 발표해 왔다. 이날 행사에는 우리나라의 삼성전자를 비롯해 인피니언, IBM, 도시바 등 세계적인 반도체 업체들이 참가, 차세대 기술을 소개했다.

삼성전자와 인피니언은 이른바 d-finFET라는 새로운 D램 기술을 선보였으며, 대만의 TSMC와 일본의 NEC, 르네사스, 도시바 등은 차세대 반도체 중 하나인 새로운 M램 기술을 소개했다. TSMC는 0.18미크론 공장 등에 기반한 새로운 M램 구조를 소개해 관심을 끌었다. 도시바와 NEC는 공동으로 크로스포인트 셀 기반의 저전력 6F² M램에 관해 보고했다.

일본 르네사스는 143㎒를 넘는 M램을 개발했다고 밝히기도 했다. 이날 학회에 제출한 보고서에 따르면 르네사스는 130나노미터 기술을 이용한 칩을 개발했다.

IBM은 32나노미터 노드 사양을 만족시키는 S램셀에 대해 상세히 소개했다. IBM 측은 “이 기술은 적어도 3개의 프로세스 노드를 통해 시스템 성능을 지속적으로 강화해 나갈 것”이라고 말했다.

또한 벨기에의 조사기관인 IMEC는 45나노미터 ‘트리플­게이트’ 기반의 6트랜지스터 S램셀을 개발했다. 이는 현재 보고된 가장 작은 S램셀로 알려졌다.

이밖에 히타치제작소와 르네사스테크놀로지는 휴대폰 충전시간을 최장 30일까지 늘릴 수 있는 시스템LSI용 트랜지스터 기술을 발표했다. 이 기술은 전류의 제어 및 스위치 역할을 하는 트랜지스터인 CMOS의 소비전력을 기존의 10분의 1로 줄이고 충전량도 10배 이상 늘릴 수 있다. 두 회사는 이 기술을 적용한 휴대폰을 오는 2007년까지 상용화할 계획이다

전경원기자@전자신문, kwjun@