AMDㆍIBM 새 인장실리콘 기술 공동개발

　AMD와 IBM이 프로세서의 성능과 전력 효율성을 높일 수 있는 인장(引張) 실리콘(strained silicon) 트랜지스터 기술을 공동 개발했다고 13일 발표했다.

‘듀얼 스트레스 라이너’(Dual Stress Liner)로 불리는 이 혁신 공정은 비슷한 트랜지스터들에 비해 같은 전력하에서 트랜지스터의 속도를 24%까지 빠르게 할 수 있다는 점이 장점이다.

양사는 “인장 실리콘은 트랜지스터가 소형화될 수록 작동이 빨라지지만 전력 누출 등으로 고열과 고전력의 위험이 나타나는 단점을 극복하는데 도움이 될 것”이라고 설명했다.

AMD는 내년 상반기 중 이 기술을 활용한 첫 90나노 AMD64 프로세서를 출시할 계획이다. IBM도 복합 90나노 프로세서 플랫폼에 이 기술을 활용, 내년 첫 제품을 내놓키로 했다.

더크 메이어 AMD 부사장은 “AMD는 인장 실리콘과 같은 혁신 공정기술을 통해 고객사들에 더 많은 가치를 안겨줄 것”이라고 말했다. 전경원기자@전자신문, kwjun@