페어차일드반도체, 파워트렌티 MOSFET 기술 발표

　페어차일드코리아(대표 김덕중)는 전자, RDS, 게이트 전하를 낮추고 게이트­드레인, 전하대 게이트 소스 전하 비율을 향상시키는 파워트렌치 MOSFET 기술을 선보였다고 8일 밝혔다.

　페어차일드 측은 전하가 낮으면 스위칭 손실이 적고 데드타임이 줄어들어 안정화가 향상되며 낮은 RDS는 유도 손실을 최소화하고 낮은 Qg는 MOSFET 스위칭에 소모되는 전력을 줄인다고 설명했다.

　이 회사 관계자는 “페어차일드의 새로운 기술을 적용한 제품들은 노트북 컴퓨터와 POL 컨버터에서 향상된 고속 스위칭 기술의 이점을 제공한다”고 말했다.

　<김규태기자 star@etnews.co.kr>