삼성전자 70나노급 D램 공정기술 개발

삼성전자가 80나노 한계를 극복하는 70나노급 핵심 D램 공정기술들을 잇따라 개발, 차세대 반도체 시대의 주도권을 강화하고 있다.

　삼성전자(대표 윤종용)는 ‘화학기상증착(CVD)’ 방식을 활용한 70나노급 최신 CVD 알루미늄 공정기술을 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. 이 기술은 알루미늄을 포함한 금속화학물질을 화학반응을 통해 입자화시켜 웨이퍼 표면에 증착해 전도성막을 형성하고 회로연결용 배선을 만들어 주는 것으로, D램 공정의 핵심인 회로배선공정에 사용된다.

　삼성전자는 최근 이 기술을 적용한 90나노 512메가비트 D램 시제품을 확보했으며, 올해안에 70나노 D램도 선보일 예정이다. 이 회사는 지난해 9월 70나노 4기가급 낸드형 플래시메모리도 개발했다.

　삼성전자는 △금속 캐패시터 기술 △3차원 트랜지스터 설계기술(R-CAT) △상감기법 설계기술 등 첨단 나노급 D램 공정기술과 설계기술을 잇따라 업계 최초로 발표, 차세대 나노 반도체 기술을 주도하고 있다. 이번 공정기술은 VLSI심포지엄·IEDM콘퍼런스 등 반도체 분야 최고 권위 학회에 기술논문으로 발표돼 호평을 받았다.

　<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>