D램 삼성전자 `독주시대`

`올해 말까지 삼성전자의 모든 D램은 110나노 이하 공정에서 생산된다`

세계 주요 경쟁 D램 업체들이 130나노에서 110나노로 전환하는 과정에서 어려움을 겪고 있는 가운데, 삼성전자만이 ‘나 홀로 독주’를 이어가고 있다.

올해 초 이미 전체 D램 생산물량의 70%를 110나노 공정 이하에서 생산하고 있는 삼성전자가 연말까지 모든 D램 생산을 90나노 등을 포함하는 110나노 이하 공정으로 전환한다는 계획을 내부적으로 세워 놓고 있다.

세계 주요 D램 업체들의 올해 화두는 110나노공정 전환이었다. 삼성전자는 지난해부터 시작된 공정전환에 성공하면서 다시 한번 세계시장에서 입지를 다졌고 경쟁사들은 전환과정에서 심각한 문제를 경험한 것으로 확인되거나 전해졌다.

이 때문에 삼성전자의 미세공정 전환일정에 다시 한번 업계의 관심이 집중되고 있다.

삼성전자 측은 “공정별로 밝힐 수는 없지만 현재 110나노 공정이 70% 이상, 약 30%는 120나노와 130나노 공정으로 생산되고 있고 이는 연말에는 90나노공정을 포함해 100% 110나노 이하 공정으로 전환된다”고 확인했다.

한편 삼성전자는 플래시메모리 미세공정에 대해서도 올해 1·4분기 주력인 120나노공정을 90나노공정으로 빠르게 전환해 올해 연말 90나노 이하 공정 생산량을 50% 이상으로 맞춰 나갈 방침이다. 현재 삼성전자의 플래시메모리 양산은 130나노에서 150나노 공정에서 약 10%, 120나노공정에서 약 85%, 90나노에서 3-4%를 생산하고 있다.

통상 미세공정을 10나노 정도 낮추면 약 30%의 칩 생산량 향상 효과가 기대된다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>