삼성전자 D램 라인 3597억원 투자

　낸드형 플래시메모리 양산에 박차를 가하고 있는 삼성전자가 D램 생산규모를 유지하기 위해 기존 D램 라인에 3597억원을 투자한다.

삼성전자는 기흥공장의 9, 10라인 미세가공 회로선폭을 현재 100나노급 공정에서 90나노급으로, 화성공장 11라인의 회로 선폭은 기존의 110나노급에서 100나노급으로 업그레이드할 계획이라고 3일 밝혔다.

　회로 선폭을 110나노급 공정에서 100나노급으로 업그레이드하면 D램 생산량이 라인별로 통상 20% 증가하기 때문에 삼성전자의 D램 생산량은 종전보다 그 비율만큼 늘어나게 된다.

이와는 별도로 삼성전자는 아직 공식적인 발표는 하지 않았으나 낸드형 플래시메모리 증산을 위해 D램과 플래시메모리 생산을 병행하고 있는 화성공장 12라인(반도체웨이퍼 가공능력 월 2만5000장)의 낸드형 플래시메모리 생산비율을 50%까지 높인다는 계획을 세워 놓고 있다.

　삼성전자 관계자는 “화성공장 12라인은 지난해 말 3000장을 낸드형 플래시메모리 생산으로 전환했고 이달 말 추가로 낸드형 플래시메모리 생산을 늘리기로 한 것”이라며 “기흥공장 6·7라인 전부와 8라인의 50%가 현재 낸드형 플래시메모리를 생산하고 있으며 향후 화성공장을 통해 낸드형의 생산을 계속 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.

<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>