일정한 형질의 탄소나노튜브를 손쉽게 양산하고 테스트까지 해내는 기술이 개발돼 향후 실리콘기판에 탄소나노튜브를 접목한 하이브리드 반도체의 등장이 예상된다고 C넷이 7일 보도했다.
탄소나노튜브는 금속보다 전도성이 뛰어나고 뛰어난 강성을 지녀 차세대 IT혁명을 이끌 기적의 소재로 주목받았으나 실제 전자부품에 적용하는 양산단계에서 많은 어려움을 겪고 있다.
가장 큰 문제점은 탄소나노튜브가 800℃가 넘는 고온처리과정을 거치는 동안 원자재가 복잡한 변화를 일으켜 서로 다른 성질의 제품이 뒤섞여 나오고 나중에 분류하기도 힘들다는 점이다.
스탠포드와 버클리 대학 연구진은 이처럼 까다로운 탄소나노튜브의 제조, 테스트과정을 해결하기 위해 수천개의 미세한 튜브를 지닌 테스트칩(RANT:Random Access Nanotube Test)을 개발했다.
이 테스트칩의 튜브 속에서 탄소재료를 넣은 채 800℃의 열을 가하면 나노급의 탄소튜브가 형성되며 적절한 전기적 특성을 지녔는지도 바로 확인할 수 있다. 또 테스트칩은 고온에서 견디도록 일반 실리콘칩에 사용되는 구리, 알루미늄 대신 몰리브데늄이란 특수금속으로 연결되어 있다.
스탠포드대의 다이 교수는 RANT칩의 개발을 계기로 균일한 특성을 지닌 나노튜브를 대량제조하는 길이 열렸으며 실리콘 반도체 회로 위에 나노튜브를 정렬시켜 새로운 반도체 제품을 만들 수 있게 됐다고 평가했다.
<배일한기자 bailh@etnews.co.kr>
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